碳化矽的起源與發展

碳化矽是由美國人艾奇遜在1891年電熔金剛石實驗時，在實驗室偶然發現的一種碳化物，當時誤認為是金剛石的混合體，故取名金剛砂，1893年艾奇遜研究出來了工業冶煉碳化矽的方法，也就是大家常說的艾奇遜爐，一直沿用至今，以碳質材料為爐芯體的電阻爐，通電加熱石英SIO2和碳的混合物生成碳化矽。

3發展
關於碳化矽的幾個事件
1905年 第一次在隕石中發現碳化矽
1907年 第一只碳化矽晶體發光二極體誕生
1955年 理論和技術上重大突破，LELY提出生長高品質碳化概念，從此將SiC作為重要的電子材料
1958年 在波士頓召開第一次世界碳化矽會議進行學術交流
1978年 六、七十年代碳化矽主要由前蘇聯進行研究。到1978年首次採用“LELY改進技術”的晶粒提純生長方法
1987年～至今以CREE的研究成果建立碳化矽生產線，供應商開始提供商品化的碳化矽基地

產地：長白山脈、河南、青海、甘肅、寧夏、四川、貴州、湖北丹江口等地。 　　
(2)輸往國別：美國、日本、韓國、及某些歐洲國家。 　
(3)品質規格：
①磨料級碳化矽技術條件按GB/T2480—96。各牌號的化學成分由表6-6-47和表6-6-48給出。 　
②磨料粒度及其組成、磨料粒度組成測定方法：按GB/T2481.2-2009。 GB/T 9258.1-2000|塗附磨具用磨料 粒度分析